一文搞懂IGBT的损耗与结温计算图文结合+计算公式步骤用IGBT自制电子负载

  都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。

  根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗包括导通和关断损耗。准确测量这些损耗通常需要使用示波器，通过电压和电流探针监视器件运行期间的波形。测量能量需要用到数学函数。

  将开通波形的电压和电流相乘，即可计算出该周期的功率。功率波形的积分显示在屏幕底部。这就得出了 IGBT 开通损耗的能量。

  开通、导通和关断损耗构成了 IGBT 芯片损耗的总和。关断状态损耗可以忽略不计，不需要计算。为了计算 IGBT 的总功率损耗，须将这三个能量之和乘以开关频率。

  上面2个图示了二极管在整流器或电抗模式下工作期间的电流和电压波形。二极管损耗的计算类似于 IGBT 损耗。

  这些时间段的功耗具有重要价值。基于单个脉冲计算每个时间段的平均功耗非常复杂，但我们可以合理的精度进行估算。为此，我们需要计算该时间段的平均功耗。

  在这种情况下，有必要计算平均（或加热）当量。对于电压和电流值，它是均方根值；对于功率，它是平均值。

  此公式计算的是正弦波每个四分之一部分的功率，因此要进行校正，我们需要在分母中添加一个因子 4。只要电压过零点在 0° 和 90°之间（对于感性负载必定如此），这就是有效的，故公式变为：

  二极管在 t0 到 t1 期间传导电流。利用电压过零点的波形可得出二极管的峰值功耗。知道此功耗值后，我们可以使用 t0 到 t1 期间的平均功耗公式来求得二极管的平均功耗。

  2 W 功率出现在进入周期后的 2.5 ms 时。要计算正弦波峰值处的等效功率，我们需要比较这两点的幅度。

  对于正电压半周期，IGBT 在 t1 到 t2 期间传导电流。IGBT 的平均功耗计算与二极管功耗的计算方法类似。其示例计算如下所示。

  对于 IGBT 分析，我们将计算完整半正弦波期间 (t0 – t2) 的 IGBT 功耗，然后计算二极管导通期间 (t0 – t1) 的 IGBT 功耗，再从前一功耗中减去后一功耗。

  一旦计算出两个芯片的功耗值，就可以使用数据表中的曲线计算芯片温度。两个芯片的温度一般不相同。每个芯片有一个 θ，并有一个交互作用系数 Psi。

  θ 是从芯片到封装外壳或引线的热阻，它有不同的名称，例如 RΘJC 是结至外壳热阻。Psi 是一个常数，表示芯片中未被计算的热效应。它基于芯片之间的距离。

  二极管热曲线图显示了典型封装中 IGBT 和二极管的热响应曲线。曲线上给出了直流值。对于 IGBT，它是 0.486°C/W；对于二极管，它是 1.06°C/W。

  为了计算峰值结温，我们可以将脉冲值增加到稳态（或平均）温度中。此计算需要上述计算得出的结温，并加上瞬时温度变化。

  唯一需要的新常数是IGBT 或二极管对于所需脉冲宽度的脉冲值。在 50 Hz 的线频率下，半周期的时间为 10 ms。根据图 8，对于 10 ms 脉冲和 50% 占空比，RIGBT 值为 0.375°C/W；根据上图，相同条件下的 RDIODE 值为 0.95°C/W。